据国外媒消息，英特尔副总裁兼技术开发负责人Ann Kelleher近日表示，英特尔公司正在实现重新获得半导体制造领导地位这一目标。

Kelleher表示：“英特尔按季度制定的里程碑显示，我们处于领先地位或步入正轨。”她说，英特尔目前正在量产7nm芯片，另外已准备好开始制造4nm芯片，并将准备在明年下半年转向3nm。

谁能坐稳后摩尔时代工艺制程王座？

英特尔CEO基辛格曾表示要重回生产技术的领导地位，“重回领导地位”的前提条件是，英特尔曾经长期处于领导地位。以及此处我们所谈及的生产技术，具体是指半导体尖端制造工艺。

回溯英特尔早期工艺，在14nm之前，英特尔始终推动着业界的主要制程工艺创新，并始终保持着比别家fab和foundry厂领先几年的技术水平。

比如在90nm时代，英特尔针对应力增强引入eSiGe(嵌入硅锗)，为业界首位；

2005年英特尔首度采用HKMG(high-k metal gate，高介电常数金属栅)，比别家提前了5年以上；2011年英特尔22nm工艺首次引入FinFET结构晶体管......

在14nm以后，英特尔遭遇技术瓶颈，首先是原本计划的Fab 14工厂升级工艺被取消，而后10nm屡屡受挫，7nm变得遥遥无期。

直至今年，英特尔在IEEE VLSI会议上公开了自己首个7nm工艺。

在英特尔先进工艺陷入停摆的这段时间，台积电和三星一路高歌猛进，台积电自7nm工艺后则稳坐先进节点王座。

2018年N7(7nm)工艺问世可作为台积电超过英特尔的拐点，也是这时，AMD Zen 2架构CPU开始采用台积电7nm工艺，并在最终出售的CPU产品上，首次实现对英特尔处理器的部分超越。

此后台积电迅速在2020年推出6nm和5nm，并宣布在今年4季度量产3nm，以及计划于2024年下半年进入风险性试产的2nm节点。

向上追赶是常态，英特尔计划2030年超越三星代工业务，而三星也扬言2030年要超越台积电。

今年7月，三星宣布量产3nm制程，并将率先采用GAA技术还计划2023年推出第二代3nm制程，并更进一步计划到2025年发展达到2nm制程，到2027年达到1.4nm制程。

业界人士表示，三星的计划表还是有可能实现的，其目前的关键问题还在于产品良率。

据TrendForce集邦咨询研究显示，在今年第二季前十大晶圆代工产值中，台积电第二季营收为181.5亿美元，5/4nm营收季增约11.1%，是第二季营收表现最佳的制程节点，7/6nm制程节点营收季增2.8%。

三星方面，7/6nm产能陆续转换至5/4nm制程，良率持续改善，带动第二季营收达55.9亿美元，季增4.9%。

同时，首个采用GAA架构的3GAE制程于今年第二季底正式量产，首波客户为挖矿公司PanSemi。

当下，跌出神坛的英特尔计划通过在产业、人才、技术等各个方面的布局重回巅峰，聚焦在尖端制造工艺方面，英特尔的计划是4年要推进从Intel 7到Inetl 18A的5个主要工艺节点。

英特尔2022年投资者大会图

Intel 7已经在2021年量产，英特尔计划将于今年下半年量产(或做好量产准备)Intel 4（相当于7nm）；在明年下半年量产(或做好量产准备)Intel 3；2024年上半年量产(或做好量产准备)Intel 20A;以及2024年下半年量产(或做好量产准备)Intel 18A。

业界人士表示，英特尔4年跨5个节点计划虽然有些夸张，但是值得注意的是，英特尔已经在一些方面充分吸取了此前的教训，并做了一些技术方面的更改。

早年英特尔严格地遵循着“摩尔定律”，毕竟摩尔定律就是英特尔的Gordan Moore提出的，在此期间，英特尔十分执着晶体管密度的阙值。

公开资料显示，从英特尔公布的逻辑晶体管密度进化方向看22nm→14nm，英特尔达成了2.5倍晶体管密度提升；而14nm→10nm，英特尔的目标是2.7倍的晶体管密度提升。

英特尔当年称其为Hyper Scaling超级缩放。这些值可谓是非常的客观的，毕竟台积电N7→N5 1.9x密度提升，N5→N3 1.6x密度提升已经是业界领先了。

同样的，业界有许多人士认为，英特尔10nm、7nm工艺难产的关键，就在英特尔对于晶体管密度的偏执上。

英特尔在2021年对其工艺节点进行了改名操作，并推出了4年更新5代节点的设想，实际上都是对过去偏执于晶体管密度提升这一传统的抛弃。

从台积电、三星、英特尔的先进节点计划看，如果大家的工艺进程都按时推进的话，三家可能会在2024或2025年两年里推出的2nm工艺上正面交锋，届时又将发生什么样的变数呢？我们拭目以待！

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